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在600°C运行的碳化硅晶体管。
二十多年来,碳化硅(SiC)被宣传为发展极端环境电子的关键. 然而,尽管有希望,但该领域仍然停留在基础研究阶段,未能开发出实用装置。 现在,京都大学的一组研究人员已经着手改变这种情况。 "我们认为发展不足是因为研究界一直试图将硅时代的思维应用到一个根本不同的材料上",Mitsuaki Kaneko说:"在APL电子设备上发表的一份新研究的第一作者.。
（编译自 TechXplore；原文 https://techxplore.com/news/2026-08-silicon-carbide-transistor-600c.html，编译转述，非原文转载）
来源：TechXplore（原文）
本文系本站对该英文资讯的编译与转述，非全文翻译；版权归原作者所有。
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