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新的低抗阻接触为改进亚硝化铬半导体装置铺平了道路

来源:TechXplore 2026-08-24 约 1 分钟读完
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新的低抗阻接触为改进亚硝化铬半导体装置铺平了道路。

LED和晶体管等半导体装置一般由两部分组成:一是n型,通过电子携带负电荷;一是p型,移动正电荷载体,称为孔,本质上是电子空穴. 两者都依赖于允许电流在能耗最小的情况下进出的接触. 这些连接被称为"Ohmic contact"(Ohmic contacts),几十年来在薄的p型GaN半导体中一直是一个高效的瓶颈,因为它们的阻力很高.。

(编译自 TechXplore;原文 https://techxplore.com/news/2026-08-resistance-contacts-pave-gallium-nitride.html,编译转述,非原文转载)

来源:TechXplore(原文)
本文系本站对该英文资讯的编译与转述,非全文翻译;版权归原作者所有。
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