Hot Chips 2026: High Bandwidth Flash 保证了巨大的带宽和能力,但其可用性极其有限——新的内存格式在HBM和NAND闪存之间达成平衡。
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以
安东·希洛夫
2026年8月26日 (中文(简体) ).
如果对广泛的人工智能工作量没有意义,它是否会起飞?
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(图像信用: Getty Images / Bloomberg).
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OXMIQ Labs是一家GPU IP公司,在Hot Chips 2026上透露出High Bandwidth Flash(HBF)无法在绝大多数工作量中取代High Bandwidth Memory(HBM). 对一些人来说,氢氟碳化物可作为庞大但相对冷酷的数据集的专门存储层而出现。 对其他人来说,HBF可以做更多的伤害而不是好事。
当SanDisk在2025年初揭开其"高班德维特闪电"(HBF)概念时,该技术承诺为AI加速器配备了相对廉价的内存的terabytes并减少了对传统"高班德维特记忆"(HBM)的需求,这一承诺从一开始就引起了一些怀疑。
新出现的HBF规格包括三个性能分级。 1级使用8-Hi 256GB NAND堆栈,并有8GT/s UCIe接口和384GB/s带宽。 二等座使用有16个GT/s UCIe接口的512GB NAND堆栈,并支持1.536 TB/s带宽。 3年级使用32GT/s UCIe 2.0达到3.072TB/s,同时保留同样的512GB容量。
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(原文共 50 张图片,此处展示前 3 张,更多图片请前往原文查看)
(编译自 Tom's Hardware;原文 https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/hot-chips-2026-high-bandwidth-flash-promises-massive-bandwidth-and-capacity-but-its-usability-is-extremely-limited-new-memory-format-strikes-a-balance-between-hbm-and-nand-flash,编译转述,非原文转载)

本文系本站对该英文资讯的编译与转述,非全文翻译;版权归原作者所有。
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